国产激情视频视频不卡在线_亚洲亚洲中文字幕无线码_亚洲欧美日韩国产成人精品影院_色欲AⅤ蜜臀视频一区二区_99热精品久久只有精品

廣東可易亞半導體科技有限公司

國家高新企業(yè)

cn en

新聞中心

NCE3080K可替代什么品牌MOS管型號-NCE3080K中文資料-KIA MOS管

信息來源：本站　日期：2019-05-24　

分享到：

NCE3080K,NCE3080K參數,NCE3080K替代

KNX3403A可替代NCE3080K

NCE3080和KNX3403A兩個型號為低壓MOS管，KIA半導體是專業(yè)制造中、低、高壓MOS管。KNX3403A可替代NCE3080K，接下來會寫出NCE3080和KNX3403A兩個型號的規(guī)格書、封裝、參數等。


低壓MOS管內阻特點

創(chuàng)新高壓技術

低柵極電荷

定期額定雪崩

較強dv/dt能力

高電流峰值


KIA半導體KNX3403A產品概述
（一）MOS管 KNX3403A 85A/30V參數

型號：KNX3403A

電流：85A

電壓：30V

漏至源電壓:30V

門到源電壓:±20V

脈沖漏電流測試:340A

雪崩電流:25A

雪崩能源:156MJ

接頭和儲存溫度范圍:-55℃至+175℃


（二）MOS管 KNX3403A特點

RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V

無鉛綠色設備

降低導電損耗

高雪崩電流


（三）KNX3403A封裝


NCE3080K,NCE3080K參數,NCE3080K替代


（四）KNX3403A規(guī)格書

查看規(guī)格書，請點擊下圖。


NCE3080K,NCE3080K參數,NCE3080K替代


NCE3080K產品介紹
（一）NCE3080K產品概述

VDS=30V,ID=80A

RDS(ON)<6.5mΩ @VGS=10V

RDS(ON)<10mΩ @VGS=5V

超低RDSON高密度電池設計

完全特征雪崩電壓和電流

良好的散熱包裝

高靜電放電性能的特殊工藝技術


（二）NCE3080K產品應用

電源切換應用

硬開關和高頻電路

不間斷電源


（三）NCE3080K產品參數詳情

漏源電壓：30V

柵源電壓：±20V

漏電流連續(xù):80A

脈沖漏電流:170A

最大功耗:83W

漏源擊穿電壓:30V

輸入電容：4700PF

輸出電容：4700PF

反向轉移電容:345PF


（四）NCE3080K封裝圖


NCE3080K,NCE3080K參數,NCE3080K替代


（五）MOS管 NCE3080K產品規(guī)格書

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。


NCE3080K,NCE3080K參數,NCE3080K替代


聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1


請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助