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NMOS門電路圖文詳細分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-12-08 

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NMOS門電路圖文詳細分析-KIA MOS管


1. E/EMOS反相器

(1)電路結構

反相器又稱“非”門電路,NMOS反相器如圖1所示。圖中T1為輸入器件也稱驅動管;T2的柵極與漏極相聯(lián),作為T1漏極的負載電阻,故稱負載管。


由于使用集成電路制造工藝來制作一個高阻值的電阻比制作一個MOS管難得多,所以負載電阻常用MOS管來代替。


MOS管導通后的導通電阻(漏極與源極之間的電阻)與其跨導gm有關??鐚Т蟮膭t其導通電阻小。


驅動管T1的跨導較大,一般為100~200μA/V;而負載管T2的跨導較小,一般為5~10μA/V。因此,T2的導通電阻比T1要大許多。


(2)工作原理

當輸入端A為1時,T1的柵源電壓VGS大于它的開啟電壓,T1導通。由于T2的柵極與漏極相聯(lián)并接到正電源VDD上,其柵源電壓也一定大于開啟電壓,T2總是處于導通狀態(tài)。


又因為T1的導通電阻遠比T2的小,其管壓降很小,故輸出端Y為0。當輸入端A為0時,T1的柵源電壓低于它的開啟電壓,T1截止,而T2總是處于導通狀態(tài),故輸出端Y為1。


2.NMOS“與非”門電路

(1)電路結構

NMOS“與非”門電路如圖2所示,其中,T3為負載管,T1和T2相串聯(lián),為驅動管。

NMOS 門電路

圖1 NMOS“與非”門電路


NMOS 門電路

圖2 NMOS“或非”門電路


(2)工作原理

當A,B兩個輸入端全為1時,T1</FONT>與T2</FONT>兩管導通,它們的導通電阻都比負載管的低得多,因此這兩個驅動管的管壓降都很小,輸出端Y為0。


當輸入端有一個或全為0時,則串聯(lián)的驅動管截止,輸出端Y為1,這時與高電平輸入端相聯(lián)的管子形成導電溝道。


3.NMOS“或非”門電路

圖2 是NMOS“或非”門電路,T1和T2兩個驅動管并聯(lián),然后再與負載管T3串聯(lián)。


當A,B兩個輸入端全為1或其中一個為1時,則相應的驅動管導通,輸出端Y為0。只有當輸入端A,B全為0時,T1和T2都截止,輸出端Y才為1。這種“或非”邏輯關系可用下式表示:

NMOS 門電路




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