【圖文】有刷直流電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng)：H橋恒流驅(qū)動(dòng)-KIA MOS管

使用PWM輸出方式驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)：H橋恒流驅(qū)動(dòng)。

這是有刷直流電機(jī)PWM的H橋恒流驅(qū)動(dòng)電路示例。這是普通的驅(qū)動(dòng)器電路，可以使用內(nèi)置的比較器進(jìn)行電機(jī)電流的ON/OFF控制，即PWM控制。

連接到功率晶體管（MOSFET）的GND側(cè)（RNF引腳）的電阻Rs是用來檢測電流的電阻。內(nèi)置的比較器會(huì)對該Rs產(chǎn)生的電壓與基準(zhǔn)電壓設(shè)置引腳（Vref）的電壓進(jìn)行比較。

當(dāng)RNF引腳電壓超過Vref電壓時(shí)，比較器的輸出變?yōu)長，并會(huì)關(guān)斷供給電流的電源側(cè)的功率晶體管。

在供給或停止電流時(shí)，晶體管的ON/OFF狀態(tài)會(huì)因工作模式（例如正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)）而異，但是不管怎樣，都將由Vref、Rs和比較器來負(fù)責(zé)是否使電流流過電機(jī)的切換。

關(guān)斷時(shí)間（toff）通過對振蕩器（OSC）頻率進(jìn)行計(jì)數(shù)的方法來設(shè)置，在關(guān)斷期間內(nèi)電流會(huì)再生。當(dāng)過了設(shè)置的關(guān)斷時(shí)間時(shí)，已關(guān)斷的功率晶體管將再次導(dǎo)通并供給電流。

通過重復(fù)該過程，可以通過以Vref電壓÷Rs值為峰值電流（Ipeak）的恒流控制使電機(jī)旋轉(zhuǎn)。右圖是表示電機(jī)電流、Rs電流和RNF電壓的波形。

需要注意的是，由于在再生電流流動(dòng)期間Rs中沒有電流流過，因此在電流重新供給時(shí)，Rs中會(huì)產(chǎn)生較大的電流變化，可能會(huì)因寄生電感而產(chǎn)生產(chǎn)生較大的電壓噪聲，或功率晶體管的寄生電容的充電電流流過并超過Vref電壓。

需要設(shè)置很短的消隱時(shí)間（tblnk），來避免功率晶體管因該電壓噪聲而不進(jìn)行OFF動(dòng)作。

消隱時(shí)間的設(shè)置需要注意不僅要避免電流ON/OFF時(shí)的電壓噪聲引發(fā)誤動(dòng)作，還要避免切換電機(jī)旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時(shí)的電壓噪聲引發(fā)誤動(dòng)作。消隱時(shí)間可以通過驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行優(yōu)化或調(diào)整。

關(guān)鍵要點(diǎn)：

?有刷直流電機(jī)H橋恒流驅(qū)動(dòng)的一種方法是使用電流檢測電阻檢測電機(jī)電流，并通過比較器將其與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較的PWM控制方法。

?在使用上述方法驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)時(shí)，由于電流檢測電阻中會(huì)產(chǎn)生較大的電流變化，因此可能會(huì)產(chǎn)生噪聲電壓并引發(fā)誤動(dòng)作。

?在使用上述方法驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)時(shí)，有一種通過設(shè)置消隱時(shí)間來抑制誤動(dòng)作的方法。

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