LED需要一種有效的驅(qū)動電路。這類驅(qū)動器IC必須提供準確的直流電流源，而且無論...LED需要一種有效的驅(qū)動電路。這類驅(qū)動器IC必須提供準確的直流電流源，而且無論輸入電源的變化范圍有多寬，都要提供嚴格控制的LED電壓調(diào)節(jié)。汽車電池總線中見到的極...
電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場，特別是對于許多驅(qū)...電機控制是30V-100V分立式MOSFET的一個龐大且快速增長的市場，特別是對于許多驅(qū)動直流電機的拓撲結(jié)構(gòu)來說。在此，我們將專注于討論如何選擇正確的FET來驅(qū)動有刷、...
KNX3320A參數(shù) MOS管200V90A特性 專用的新平面技術(shù) RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=1...KNX3320A參數(shù) MOS管200V90A特性 專用的新平面技術(shù) RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開關(guān)損耗最小化
MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時間...MOSFET可降低超級電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時間和環(huán)境變化而自動調(diào)節(jié)。 在能量采集、辦公自動化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計中，...
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加...當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的...
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的...
