功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在...功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn)，但是MOS管具有較脆弱的承受短時(shí)過(guò)載能力，特別是在高頻的應(yīng)用場(chǎng)合，所以在應(yīng)用功率MOS管對(duì)必須為其設(shè)計(jì)合理的保護(hù)電路來(lái)提高器件的可...
兩種電路相比較，主要有以下區(qū)別： NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on； N...兩種電路相比較，主要有以下區(qū)別： NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on； NMOS型穩(wěn)壓電路所需的輸入輸出壓差小于PMOS型的輸入輸出壓差；
MOS管100V7A KIA5610A產(chǎn)品概述 KIA5610A是具有極高單元密度的最高性能溝槽N-c...MOS管100V7A KIA5610A產(chǎn)品概述 KIA5610A是具有極高單元密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET，其為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供優(yōu)異的RDSON和柵極電荷。KIA5610A符合R...
電池和交流電源之間的平穩(wěn)電源的切換過(guò)程要求盡量避免用戶干預(yù)、保證能量損失最...電池和交流電源之間的平穩(wěn)電源的切換過(guò)程要求盡量避免用戶干預(yù)、保證能量損失最少，盡可能不在電池供電回路中插入串聯(lián)元件，以免在電池電壓較低時(shí)電流回路中引起額...
圖騰柱就是上下各一個(gè)晶體管，上管為NPN，c極接正電源，下管為PNP，e極接負(fù)電源...圖騰柱就是上下各一個(gè)晶體管，上管為NPN，c極接正電源，下管為PNP，e極接負(fù)電源，注意，是負(fù)電源，是地。兩個(gè)b極接到一起，接輸入，上管的e和下管的c接到一起，接...
射頻干擾，它是以空間電磁場(chǎng)的形式傳遞 在機(jī)器內(nèi)部的導(dǎo)體（引線或零件引腳）感...射頻干擾，它是以空間電磁場(chǎng)的形式傳遞 在機(jī)器內(nèi)部的導(dǎo)體（引線或零件引腳）感生出相應(yīng)的干擾，可通過(guò)電磁屏蔽和合理的布線/器件布局衰減該類干擾；電源線或電源內(nèi)...
