KIA3400場效應(yīng)管漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色...KIA3400場效應(yīng)管漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關(guān)損耗，高效穩(wěn)定可靠...
高電平輸入時(shí)，VF1=2.4V， VF3=12 V，繼電器觸點(diǎn)處于導(dǎo)通狀態(tài)（常開型吸合狀態(tài)...高電平輸入時(shí)，VF1=2.4V， VF3=12 V，繼電器觸點(diǎn)處于導(dǎo)通狀態(tài)（常開型吸合狀態(tài)），VF2=0.125V，A1=915uA，AM2=48.8mA，說明晶體管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，而繼電器線圈...
在MOS管關(guān)斷時(shí)，蜂鳴器里面的電流不能突然降為0，在突然關(guān)閉時(shí)會(huì)產(chǎn)生反相的電壓...在MOS管關(guān)斷時(shí)，蜂鳴器里面的電流不能突然降為0，在突然關(guān)閉時(shí)會(huì)產(chǎn)生反相的電壓，這時(shí)電流就需要有一個(gè)泄放路徑，二極管就充當(dāng)這個(gè)泄放路徑，消耗能量。使用上、下...
KNS5610A場效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)...KNS5610A場效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性，RDS（ON）=98mΩ，低柵極電荷，減小開關(guān)損耗；出色的Cdv/dt...
6P3P單端電子管功放電路，使用6N1進(jìn)行電壓放大推動(dòng)末級6P3P。為得到較大的輸出...6P3P單端電子管功放電路，使用6N1進(jìn)行電壓放大推動(dòng)末級6P3P。為得到較大的輸出功率，使用了標(biāo)準(zhǔn)的五極管接法。RP為音量電位器，因?yàn)槿サ袅瞬⒙?lián)6N1柵極上的柵漏電阻...
BG2與BG3組成多諧振蕩器推動(dòng)整個(gè)電路的運(yùn)行，然后通過BG1和BG4來控制BG6和BG7工...BG2與BG3組成多諧振蕩器推動(dòng)整個(gè)電路的運(yùn)行，然后通過BG1和BG4來控制BG6和BG7工作。振蕩電路由BG5和DW組的穩(wěn)壓電源供電，使得多諧振蕩器輸出的頻率穩(wěn)定。在制作時(shí)...
